Участники проекта RAMPLAS сообщают о намерении в ближайшие три года сосредоточить усилия на создании оптической памяти для применений в системах, поддерживающих скорость передачи данных 100 Гбит/с и выше.
Задачей проекта является найти способ увеличить быстродействие оптической памяти, скорость работы которой в данный момент можно сравнивать со скоростью памяти типа DDR3. Оптическая RAM может быть использована в оборудовании, поддерживающем скорости передачи данных 100 Гбит/с и более.
В группу разработчиков проекта RAMPLAS входят 6 участников, среди которых Центр исследований и технологии Эллады (Греция), Берлинский технический университет (Германия), Технический исследовательский центр VTT (Финляндия), PhoeniX Software (Голландия), Институт связи и информатики (Греция), Технический университет Тампере (Финляндия). Проект начат организацией European Commission в рамках программы Seventh Framework (FP7-ICT-2009-C), запущенной в 2008 году
Задача состоит в получении образцов чипов 1.55 мкм из арсенида галия (GaAs) с нанометрической системой оптических волноводов.
Разработки кремниевых оптических чипов будут вестись на базе технологии «кремний на изоляторе» (SOI - silicon-on-insulator). При работе электронных компонентов, созданных по классической технологии, большая часть потребляемой мощности уходит на накачку паразитной ёмкости изолирующего перехода в момент переключения транзистора между различными состояниями. Общее быстродействие схемы определяется временем, за которое происходит этот заряд. Основное преимущество технологии SOI состоит в том, что за счёт наличия дополнительного слоя и изоляции транзистора от кремниевого основания паразитная емкость снижается на несколько порядков, так же как время зарядки и общая потребляемая мощность компонента.
В случае успеха, новый тип оптической RAM будет иметь ряд преимуществ перед обычной RAM:
- Скорость доступа к памяти в 30 раз ниже чем для SRAM и почти в 1000 раз быстрее, чем для памяти типа DRAM;
- Снижение потребления энергии до уровня 15 мВт / Гбит/с;
- Использование световых волн для соединения различных областей памяти.
Представители RAMPLAS планируют выпустить 64-разрядные оптические банки для адресной памяти (CAM - Content Addressable Memory), оптической маршрутизации 4x4 и генераторов псевдослучайных последовательностей (PRBS - Pseudo-Random Bit Sequence) оптических сигналов для применений в системах со скоростью передачи данных 100Гбит/с.