Компания Applied Optoelectronics сообщила об успешном завершении разработки универсального PIN фотодиода, предназначенного для приемников систем передачи данных на скорости 100 Гбит/c.
Разработка представляет из себя фронтально освещаемый InGaAs PIN фотодиод, который обладает высокой чувствительностью к излучению с высокочастотным модулирующим сигналом и низким темновым током, что обеспечивает пониженный уровень шума. Для создания фотодиодов использовалась технология металлоорганического химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ металлоорганическими прекурсорами - MOCVD), которая позволила получить эпитаксиальный материал с высочайшей степенью чистоты.
По расчетам разработчика, массивы 4x25 Гбит/с с новыми фотодиодами должны найти применение в производстве оптических трансиверов и в приемниках систем 100GEPON. Одиночные фотодиоды могут применяться и одиночно в оптических модулях 25G опорных сетей беспроводной технологии 5G. Кроме прочего, новые PIN фотодиоды могут применяться для работы с сигналами с модуляцией PAM, таким образом могут быть использованы в оборудовании со скоростью передачи данных 200 Гбит/с и 400 Гбит/с.