Samsung Electronics поставила один миллион первых в отрасли модулей DRAM 10-нм (D1x) DDR4 (Double Date Rate 4) на основе технологии ультрафиолетового излучения (EUV).
«Выпуская нашу новую DRAM на основе EUV, мы демонстрируем нашу полную приверженность предоставлению революционных решений DRAM для поддержки наших глобальных ИТ-клиентов», - сказал Юнг-ба Ли, исполнительный вице-президент DRAM Product & Technology в Samsung Electronics. «Это важное достижение подчеркивает, как мы будем продолжать вносить свой вклад в глобальные ИТ-инновации путем своевременного развития передовых технологических процессов и продуктов памяти следующего поколения для рынка памяти премиум-класса».
Компания Samsung заявила, что она впервые внедрила EUV в производство DRAM, чтобы преодолеть трудности в масштабировании DRAM. Технология EUV сокращает количество повторяющихся шагов в создании нескольких шаблонов и повышает точность формирования шаблонов, обеспечивая повышенную производительность и более высокий выход, а также сокращенное время разработки. EUV будет полностью развернут в будущих поколениях DRAM от Samsung, начиная с четвертого поколения 10-нм класса (D1a) или высокоразвитого 14-нм класса DRAM. Samsung планирует начать серийное производство DDR5 и LPDDR5 на базе D1a в следующем году, что удвоит производительность 12-дюймовых пластин D1x.